场效应晶体管的结构与双极型晶体管不同。以常见MOSFET为例,器件主要包含栅极、源极、漏极、体区、绝缘层和导电沟道。栅极与沟道之间通常由绝缘层隔开,外部电压通过电场改变沟道的导电能力。
晶体管剖面图通常能看到发射区、基区、集电区,或栅极、绝缘层、源区、漏区等内部区域。普通商品照片一般只能展示封装外观,不能直接显示芯片内部结构;只有拆解图、显微图、工艺截面图或器件数据资料,才适合用于分析内部层次。
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晶体管与真空管都是可以用于放大或开关的电子器件,但两者的载流子运动环境和内部结构完全不同。晶体管依靠半导体材料中的电子和空穴工作,真空管则依靠真空环境中的电子发射与运动工作。